•专业晶片/摄像头模组清洗设备，

•去除晶片,CMOS本体表面之微尘颗料

•二流体喷洗--------高速离心脱水

技术参数：
最大工作盘:Φ 310mm
清洗水供给压力:>2.0Kgf
最大清洗工件:Φ300MM/310mm
清洗水流量设定范围:＜4L/min
清洗方式:水气二流体清洗
DI供给洁净度要求:>16MΩ
干燥方式:高速离心脱水(离子风)
洁净压缩空气供给压力:0.45—0.7mpa
工作盘旋转数范围:0--2800 r/min
洁净压缩空气洁净度要求:过滤度在0.01um/99.5%以上超洁净压缩空气,残余油＜0.1ppm
离心清洗释出压力:1.5—13.8kg
送风排气容量:3.0m3/min
洁净压缩空气最大消耗量:清洗时:＜210L/MIN
洁净纯水最大消耗量:清洗时:＜3L/min
设备材料:整机316镜面不锈钢
控制方式:PLC+触摸屏
可清洗颗料最小直径:≧1um   99%以上
电源:220V 5A 50/60HZ
设备重量:约160KG
设备尺寸:600mm(L)×500mm(W)×1570mm(H)