去光阻和金属剥离系统

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去光阻和金属剥离系统

此设备支持6英寸、8英寸和12英寸晶圆，结合了批次制程与单晶片制程的优点。它集成多种功能，包括溶剂浸泡、高压溶剂去除光阻及二流体清洗。浸泡槽配备兆声波功能，增强溶剂渗透光阻的能力，能够快速膨润和软化光阻。根据产品特性，用户可灵活选择不同功能应用于制程。
此外，设备还配备了二流体系统和High-Jet高压喷射技术，确保最佳的光阻和颗粒物去除效果，保持晶圆的高度洁净度。设备的模块化设计允许根据客户的制程需求进行扩展，以实现产能的最佳匹配。程序控制确保每片晶圆在相同的制程条件下处理。

去光阻和金属剥离系统

产品特点

01

浸泡槽内的 Cassette slot (20mm pitch) 最多可容纳15片晶片，配有独立运行的搅拌（Agitation）和兆声波功能，增强化学品与光阻的接触效果，加快光阻膨润和软化的效率。

02

浸泡槽内的化学品通过inline heater进行内部循环，并且在高压旋转腔体中实现溶剂的回收再利用，有效减少化学品浪费并节省成本。

03

高压旋转腔体配备HPC（高压清洗）和二流体功能，可根据不同产品的制程特性进行灵活调整，确保光阻和颗粒物的高效去除。

04

最终清洗腔体主要使用IPA作为介面溶剂，并以二流体去离子水清洗为核心，辅以DI Rinse功能，确保清洗后的晶片表面无残留物。

05

各制程腔体采用独立设计，避免不同制程之间的交叉污染，从而保证每个制程的晶片洁净度。

06

Spin Chamber具备晶圆双面清洗能力，确保每一片晶片的上下表面都能够彻底清洗，提高整体制程的清洁效果。

07

防水传送机械手臂采用双指设计，专为Wet to Wet晶圆传送过程优化，确保晶片在湿态下的稳定传输。同时支持Dry-in/Dry-out制程目标，提升制程的效率和晶片处理的一致性。

应用范围

技术参数

应用范围

6，8，12寸晶圆光阻去除/助焊剂清洗；12寸CoW / WoW后底部Deflux清洗

腔室类型

浸泡槽 / 高压旋转腔室 / 最终漂洗旋转腔室；浸泡槽 / 负压真空旋转腔室 / 最终漂洗旋转腔室

晶圆夹持方式

边缘夹持

界面设备控制

触控式IPC+PLC

材质

外部：不锈钢；框架：不锈钢；腔室：不锈钢

化学品选用

NMP，EKC Series

工艺温度

Max. 125℃（助焊剂清洗，配备CO2灭火系统）

Chuck转速

Max. 2000RPM（正转 or 反转）

超声震荡频率

40KHz（上下搅拌震荡）

噪音

＜75db

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深圳市凯尔迪光电科技有限公司

2024年8月07日