晶背薄片蚀刻机

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晶背薄片蚀刻机

该设备专为6"/8"/12"晶圆在减薄后的蚀刻工艺设计，特别适用于处理薄型和脆弱的晶片。
为应对薄片在制程中易破损的特性，设备配备了Bernoulli robot和Bernoulli spin chuck，通过非接触式传送和支撑，最大程度降低了在蚀刻过程中的破片率，确保晶片在整个制程中的安全性。针对翘曲的薄片，设备提供平坦化功能，确保制程的稳定性，并避免因真空吸附产生的CHUCK蚀刻应力痕迹。
此外，设备采用先进的化学品回收设计，结合回收环与抽风系统，显著提升化学品回收的纯度和回收率，降低生产成本并提高环保效益。

晶背薄片蚀刻机

产品特点

01

该设备能够精确控制薄片的厚度，达到3 mil的标准，确保在生产过程中保持一致性。同时，12”晶圆的翘曲度被控制在8mm以内，有效避免了因翘曲引起的处理不均匀问题。

02

本设备专为12英寸晶圆设计，确保背面硅刻蚀过程的均匀性保持在5%以内，显著提升了刻蚀的均匀性，保证了高品质的生产效果。

03

设备配备最高可达3组化学品回收环，回收率超过96%，有效减少化学品的浪费，降低生产成本，提升环保效益。

04

在大规模生产过程中，本设备能够将破片率控制在100ppm以内，极大地降低了生产中的废料产生，提高了产品的整体良率。

05

该旋转夹具具备高速和平稳的旋转性能，转速范围从10到2000 rpm可调节，并且支持正转和反转功能。同时，抗静电设计有效防止了静电对晶片的影响，确保了生产的稳定性和安全性。

06

设备拥有高精度的化学品温度控制系统，控制范围在±0.5℃以内，确保在整个生产过程中化学品温度的一致性，从而提高了产品的质量和稳定性。

07

设备采用了独特的设计，能够有效避免晶片线路面发生渗蚀，从而显著提升了产品的良率，确保了生产过程中的高质量输出。

应用范围

技术参数

用途及适用

8” 12”晶圆蚀刻和清洗处理，特别针对2.5D/3D高阶先进封装制程薄晶圆

WPH

腔体每小时产出15PCS
(每个制程180秒规划)

腔室类型

单晶圆Bernoulli旋转腔体

装/卸

FOUP / SMIF / Cassette

晶圆夹持方式

Bernoulli 和边缘夹持旋转卡盘

设备界面控制

触摸式荧幕 + PLC 控制

设备材质

外部：WPP；FMPVC 框架：不锈钢

化学品控温精度

±0.5℃

噪音

＜75db

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深圳市凯尔迪光电科技有限公司

2024年8月07日